无源芯片 有源芯片

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光敏面
Optical
Window

响应度
Responsivity

暗电流
Dark
Current

反向电压
Breakdown

正向电压
Forward
Voltage

工作温度
Work
Temperature

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Datasheet

InGaAs 300μm PD

300μm

1A/W@1310nm
1.05A/W@1550nm

<0.5nA

-38V

0.5mA

-40℃ to 85℃

InGaAs 300μm PD

InGaAs 500μm PD

500μm

1A/W@1310nm
1.05A/W@1550nm

<0.2nA

-38V

0.5mA

-40℃ to 85℃

InGaAs 500μm PD

InGaAs 1000μm PD

1000μm

1A/W@1310nm
1.05A/W@1550nm

<0.5nA

-38V

0.45mA

-40℃ to 85℃

InGaAs 1000μm PD

InGaAs 2000μm PD

2000μm

1A/W@1310nm
1.05A/W@1550nm

<2nA

-38V

0.4mA

-40℃ to 85℃

InGaAs 2000μm PD

InGaAs 3000μm PD

3000μm

1A/W@1310nm
1.05A/W@1550nm

<3nA

-38V

0.4mA

-40℃ to 85℃

InGaAs 3000μm PD

InGaAs 3000μmX4000μm PD

3000μmX4000μm

1A/W@1310nm
1.05A/W@1550nm

<3nA

-36V

0.4mA

-40℃ to 85℃

InGaAs 3000X4000um  PD

InGaAs 4000μmX8000μm PD

4000μmX8000μm

1A/W@1310nm
1.05A/W@1550nm

<15nA

-36V

0.4mA

-40℃ to 85℃

InGaAs 4000X8000um PD

InGaAs 5000μm PD

5000μm

1A/W@1310nm
1.05A/W@1550nm

<10nA

-33V

0.4mA

-40℃ to 85℃

InGaAs 5000μm PD

甲烷气体(1654nm)探测用芯片
——InGaAs 500μm PD

500μm

1.05A/W@1640nm

<0.2nA

-38V

0.5mA

-40℃ to 85℃

InGaAs 500μm-甲烷气体探测用

甲烷气体(1654nm)探测用芯片
——InGaAs 1000μm PD

1000μm

1.05A/W@1640nm

<0.5nA

-38V

0.45mA

-40℃ to 85℃

InGaAs 1000μm-甲烷气体探测用